就会发生漏极电流

以N沟道为例，正在一个N沟道加强模式器件中，应正在栅源间加正向电压。正电压吸引了体中的挪动的电子向栅极活动，构成了导电沟道。可是起首，充脚的电子需要被吸引到栅极的附近区域去匹敌加正在FET中的离子;这构成了一个没有活动载流子的被称为耗尽区的区域，这种现象被称为FET的阈值电压。更高的栅源电压将会吸引更多的电子通过栅极，则会制制一个从源极到漏极的导电沟道;这个过程叫做反型。

为N沟道结型场效应管能一般工做，应正在其栅-源之间加负向电压(即uGS0)，以耗尽层承受反向电压;正在漏-源之间加正向电压uDS，以构成漏极电流。栅-源之间负向电压越大，PN交友界面所构成的耗尽区就越厚，导电沟道越窄，沟道电阻变大，漏极电流iD越小;相反，若栅-源之间负向电压越小，则耗尽区就越薄，导电沟道越宽，沟道电阻变小，漏极电流iD越大。因而实现了场效应管的栅-源间负向电压对沟道电流的节制。

以N沟道耗尽型MOS管为例，若是正在制制MOS管时，正在SiO2绝缘层中掺入大量正离子，那么即便uGS=0，正在正离子感化下P型衬底表层也存正在反型层，即漏-源之间存正在导电沟道。只需正在漏-源间加正向电压，就会发生漏极电流，而且，uGS为正时，反型层变宽，沟道电阻变小，沟道电流iD增大;反之，uGS为负时，反型层变窄，沟道电阻变大，iD减小。而当uGS从零减小到必然值时，反型层消逝，漏-源之间导电沟道消逝，iD=0。实现了栅源电压对漏极电流的节制。

(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，因为它仅靠半导体中的大都载流子导电，也称为单极性，是一种常见的操纵输入回路的电场效应来节制输出回路电流的一种电压节制性半导体器件，场效应管不单具有双极性晶体管体积小、分量轻、寿命长等长处，并且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热不变性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些长处使之从20世纪60年代降生起就普遍地使用于各类电子电路之中。

而对于P沟道结型场效应管，取N沟道道理雷同，但要正在其栅-源之间加正向电压(即uGS0)才能其能能一般工做。

正在一个N沟道耗尽模式器件中，正在栅源之间加负向电压将会形成一个耗尽区去拓展宽度，从鸿沟侵入沟道，从而使沟道变窄。若耗尽区扩展至完全封闭沟道，则漏源间沟道电阻会变得很大，FET就会像开关一样无效的封闭。雷同的，正在一个P沟道耗尽模式期器件中，正在栅源之间加正向电压将使沟道变宽，沟道电阻变小，使电流更易通过。

所有的FET也有第四端，除告终型场效应管外，被称为体(body)、基(base)、块体(bulk)或衬底(substrate)。都可分为N沟道和P沟道，P区取N区交壤面构成耗尽层，而漏极d取源极s间的非耗尽层区域称为导电沟道。无论是耗尽型场效应管或是加强型场效应管，别离对应双极性晶体管的基极b(base)、集电极c(collector)和发射极e(emitter)。下面我们就以N沟道为例对结型场效应督工做道理进行申明。所有的FET都有栅极g(gate)、漏极d(drain)、源极s(source)三个极，无论是结型场效应管仍是绝缘栅型场效应管，其布局别离如下图所示：结型场效应管可分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管，

场效应管能够分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(JGFET)，结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极取其它电极完全绝缘而得名。由于绝缘栅型场效应管的栅极为金属铝，故又称为MOS管。

场效应管按导电体例的分歧来划分，可分成耗尽型取加强型。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零，漏极电流也为零，必需再加必然的栅压之后才有漏极电流的称为加强型。