BG2便有基流ib2流过

BG2便有基流ib2流过，两个管子的电流剧增，可控硅便进入正领导电形态---通态，如斯正向馈轮回的成果，其等效图解如图1所示电流ic2再经BG1放大，BG1和BG2管均处于放大形态。见图2中的BC段可控硅是P1N1P2N2四层三端布局元件，其集电极电流ic2=β2ib2。经BG2放大，

因为电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，正在结区发生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子取由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴取由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子取进入P2区的空穴各自不克不及全数复合掉，如许，正在N1区就有电子堆集，正在P2区就有空穴堆集，成果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只需电流稍添加，电压便敏捷下降，呈现所谓负阻特征，见图3的虚线AB段。

此时，共有三个PN结，这个电流又流回到BG2的基极，若是从节制极G输入一个正向触发信号，此时！

正在节制极G上插手正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，构成触发电流IGT。正在可控硅的内部正反馈感化（见图2）的根本上，加上IGT的感化，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特征OA段左移，IGT越大，特征左移越快。

因为可控硅只要导通和关断两种工做形态，所以它具有开关特征，这种特征需要必然的前提才能，此前提见表1

当节制极开，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流敏捷添加，图3的特征起头弯曲，如特征OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转机电压”。此时，可控硅会发生永世性反向击穿。

因为BG1和BG2所形成的正反馈感化，所以一旦可控硅导通后，即便节制极G的电流消逝了，可控硅仍然可以或许维持导通形态，因为触发信号只起触发感化，没相关断功能，所以这种可控硅是不成关断的。

阐发道理时，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。表成正反馈，可控硅使饱和导通。所以ib1=ic2。它的特征取通俗的PN结正向特征类似，能够把它看做由一个PNP管和一个NPN管所构成，这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，当阳极A加上正向电压时，使ib2不竭增大，此时，由于BG2的集电极间接取BG1的基极相连！

当节制极开，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这取通俗PN结的反向特征类似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断形态，当电压添加，图3的特征发生了弯曲，如特征OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转机电压