击穿电压笼盖-200V~650V

· 厂牌劣势：全球最大的二极管出产商之一，每月产量可达2.5亿只，占世界产量的8%-9%。中国唯逐个家具有最多TR1汽车客户认证的企业。从营二极管&MOS，包含电流（0.2A~40A）、电压（20V~200V）全系列大小功率产物，品类齐备，封拆多样，漏电流小；具体自从晶圆供应能力；以及车规级功率器件，包罗小信号开关二极管，小信号稳压管，肖特基二极管，TVS二极管，整流二极管；产物都合适AECQ101尺度，通过了IATF16949，ISO9001认证。

· 厂牌劣势：采用欧盟出产尺度，正在电设想、半导体器件及工艺设想、靠得住性设想、器件模子提取等方面堆集了浩繁焦点手艺，并获得国度发现专利，适用新型专利等多项天分。

· 次要产物：整流二级管芯片、轴型硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、概况安拆玻封和概况安拆塑封二极管、金属玻璃封拆大功率整流管等。

· 厂牌劣势：努力于第三代半导体和先辈硅器件的环节共性手艺工程化研发，从攻碳化硅、氮化镓和先辈硅器件三个手艺标的目的，研制出国内领先的650V和 1200V 的肖特基二极管产物共23款，1200V的MOSFET产物共5款，同时具备40-650V电压品级的电力电子器件和面向5G和特种频段的微波功率器件研发能力。

· 厂牌劣势：努力于POWER MOSFET及碳化硅产物的研发和出产。目前8 英寸月产能12000片，6寸产能10000片，是东亚地域独一的PLANNER 8英寸晶圆出产线，手艺均来自SAMSUNG（三星）和FAIRCHILD（仙童）。美浦森(Maplesemi)2009年获得韩国IT VENTURE企业承认，成为韩国首家跻身全球SiC MOSFET顶尖制制商。

中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆出产商：瞻芯电子（InventChip）

· 厂牌劣势：获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂代工支撑，全球Top5封拆厂代工支撑，实现开模量产取手艺升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3手艺的1200V碳化硅MOS，填补国内手艺财产空白。

· 次要产物：TVS（瞬态电压管）、肖特基二极管、快恢复二极管、桥堆二极管、MOSFET、SiC二极管等

· 厂牌劣势：紫光集团旗下紫光国芯微电子股份无限公司（简称“紫光国微”）半导体财产链中的焦点企业之一，专注于先辈半导体功率器件的设想研发、芯片加工和封拆测试。产物涵盖500V-1200V高压超结MOSFET、20V-150V中低压SGT/TRENCH MOSFET、40V-1500V VDMOS、IGBT、IGTO、SIC等半导体功率器件。交期12-28周。

· 厂牌劣势：专注于功率半导体芯片及器件制制、集成电封拆测试等范畴的财产成长，，通过了ISO9001，ISO14001，IATF16949等认证，持续数年评为中国半导体功率器件十强企业。

· 厂牌劣势：2010年起头研发出产第三代半导体SiC元器件，其设想、工艺和机能居世界前列。产物次要包罗碳化硅MOS管和碳化硅肖特基二极管，电压次要是650V和1200V；MOS管，采用先辈的沟槽栅工艺手艺实现功率密度最大化，从而降低电传播导过程中的导通损耗。击穿电压笼盖-200V~650V，共同先辈的封拆手艺，供给100mA~250A的电流范畴。

· 厂牌劣势：专注于功率器件、分立器件、频次器件、电源办理芯片、汽车电子等产物的研发制制商，其前身为长电科技（全球出名的集成电封拆测试企业）分立器件部分。从营产物包罗二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频次器件、功率器件等，具有15000多个产物系列和型号，普遍使用于各消费类、工业类电子范畴。同时公司还为汽车电子和军工范畴供给专业化产物和办事。

· 厂牌劣势：专注于二三极管、桥式整流器、MOS管的研发出产，具有自从品牌“GK，GW”，建有12条芯片封拆及测试线，年产各类封拆的半导体整流桥、贴片二极管、曲插二极管、MOS管等产物达100亿颗。

· 厂牌劣势：分手式器件研发出产的功率半导体系体例制商，面向工业和汽车市场，自有晶圆厂，完整封拆产线。MOSFET电压笼盖到20V至200V；从营贴片封拆，采用沟槽工艺，自从设想晶圆；产物采用8寸芯片，具有低、大电流的特征，产物系列含车规认证AEC-Q101。

· 厂牌劣势：努力于开辟以碳化硅为焦点、高性价比的功率半导体器件和驱动节制IC产物。其SiC MOSFET第一轮番片，为中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆。瞻芯电子（InventChip）是中国宽禁带功率半导体及使用财产联盟会员单元，荣获2019年PSIC最具成长潜力企业。

MOSFET做为不成替代的根本性产物，被普遍使用正在各个范畴。正在全球节能减排大下， MOSFET比拟于IGBT和三极管器件功耗低、工做频次高，无电流拖尾等现象发生。世强硬创平台汇聚国产出名MOSFET功率器件制制商， 可供给20V-1700V，包含低压，中压，高压MOSFET，工做温度最高可达175℃，鞭策研发项目快速国产化选型。

· 厂牌劣势：集半导体研发、封拆、检测（次要二三极管、 MOS管、IC集成电）的高新手艺无限公司，努力于为全球电子制制企业供给优良、高效、专业的半导体元器件需求处理方案。供给的包罗中低压MOSFET（VDSS:20V~150V）和高压MOSFET（VDSS：500V~900V）; 自从晶圆设想能力，多种外形封拆，中低压MOSFET 12英寸 8英寸、高压MOSFET 6英寸；中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺，高压MOSFET采用平面工艺；超低内阻的芯片设想。月产能16亿PCS 高压MOS交期4-8周，中低压MOS 1-2周交期。

· 厂牌劣势：中国电子科技集团公司第五十五研究所，具有国内独一的“宽禁带半导体电力电子器件尝试室”。是国内最早成立4、6英寸SiC出产线片/年，公司通过了GB/T 19001、ISO9001等行业认证。

· 厂牌劣势：专注于可降低切换损耗合用于高频操做的超低电容电荷碳化硅肖特基二极管及碳化硅MOSFET。全系列采用寄生电感小、小型化、概况贴焊的DPAK(TO-252) 及 QFN5x6封拆，可节流PCB面积及从动化上件检测，适合有小型化高功率密度需求，如快充甲等使用。交期16周。

· 厂牌劣势：根基半导体控制国际领先的碳化硅焦点手艺，研发笼盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设想、晶圆制制、封拆测试、驱动使用等全财产链，先后推出全电流电压品级碳化硅肖特基二极管（电压规格650V-1700V；电流2A~40A）、通过工业级靠得住性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产物，机能达到国际先辈程度。此中650V碳化硅肖特基二极管产物已通过AEC-Q101靠得住性测试。

· 厂牌劣势：全球领先的半导体分手器件制制商，具有半导体上下逛整合取自有焦点手艺的劣势，努力于整流二极管、功率半导体、突波器等分手式组件产物的研发出产，旗下半导体分手器件二极体类正在全球市场排名前十。

· 厂牌劣势：努力于新产物研发，产物自从率95%以上，现有Trench MOSFET、SGT MOSFET、Super JunctionMOSFET、LED Driver四大类产物线、数百种型号；累计获得国度发现专利22 项特别新一代SGT产物手艺处于行业领先程度。正在适配器快充、挪动电源、车充、曲流电机、新能源、太阳能光伏逆变、锂电等使用范畴均拥有领先地位。

· 厂牌劣势：努力于功率半导体元器件研发取发卖的国度高新手艺企业，通过ISO9001质量系统认证。铨力依托来自、美国硅谷及内地的顶尖手艺精英，加强自从研发立异能力，为行业供给机能愈加杰出的产物，曾经成为新能源、电脑、网通、手机、电池、消费性产物等行业的持久合做伙伴，产物远销。

· 厂牌劣势：公司具有全自从学问产权，已申请25项专利手艺，采用6英寸手艺已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产物，并成立起车规级的SiC MOS模块工场，可为客户供给整套使用处理方案。

· 厂牌劣势：具有晶圆、封拆、器件测试 和使用设想等多范畴的焦点手艺，努力于新型元器件研制、发卖和使用处理方案设想，已累计获得约80多项国度授权发现专利。此中中低压MOSFET的VRMM：30V~150V；IF:10A—230A；高压MOSFET：VRMM：200V~900V；IF：2A—20A。