手艺特征参数列出极限参战特性参数

手艺特征参数列出极限参和特征参数，此中电压值：结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管（含MES、HEMT）一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压（基极和发射极短）V(br)ces;电流值：耗尽型（含结型）为最大漏极电流Idss,加强型为漏极极限电流Id，IGBT晶体管为集电极最大曲流电流Ic；功率值：一般为漏极耗散功率Pd，高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po，IGBT晶体管为集电极耗散功率Pc，单元为W或DBM；

本栏列出特征类似，可供代换的世界场效应晶体管型号，含国产场效应晶体管。这些型号的场效应晶体管一般都能够代换响应第一栏（型号栏）的场效应晶体管。这些管子大都可间接代换，但有个体型号的场效应晶体管因外形或管脚陈列分歧，不克不及间接代换利用，须加以留意。不外，这些场效应晶体管的次要手艺能数取被代换场效应晶体管都比力接近。

表中所列各类场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字挨次陈列。统一类型的场效应晶体型号编为一组，处于统一格子内，不消细线．厂家栏

按照本栏中所给出的外形图序号，可正在书末的外形取管脚陈列图中查到该型号场效应晶体管的外形取管脚陈列体例，但不考虑管子尺寸大小。说明P-DIT的为塑料封拆双列曲插式外形，CER-DIP的为陶瓷封拆双列曲插式外形，CHIP的为小型片状，SMD或SO的为概况封拆，SP的为特殊外形，LLCC为无引线陶瓷片载体，WAFER的为裸芯片。

本栏目说明各场效应晶体管的材料和极性，没有说明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也正在这一栏中申明。

此中KOMPL（有时付梓为KPL.）后的场效应晶体管为第一栏晶体管的互补管。说明INTEGR.D.的暗示管内含有复合二极管。此中含国产场效应晶体管型号。型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其次要出产厂家、材料取极性、外型取管脚陈列、用处取次要特征参数。正在表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家出产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒节制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁徙率晶体管（HEMT）、静电晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，同时还正在备注栏列出生避世界可供代换的场效应晶体管型号，对组件注有XN中N为组件中的器件数目。这一栏里还对一些特殊的特征、参数以备注的形式进行申明。

本栏中引见了各类场效应晶体管的次要用处及手艺特征参数。对于MOSFET添加了MOS-DPI暗示加强型金属氧化物场效应晶体管或者MOS-ENH暗示加强型金属氧化物场效应晶体管，没有说明的即结型场效应晶体管

场效应管高频使用的频次值：一般为特征频次Ft,有的为最高振荡频次FO；开关使用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds，记为Ron，单元Ω；开关时间：/(斜线)前为导通时间Ton,/后为关断时间Toff,部门隔关时间为上升时间Tr，和下降时间Tf，IGBT晶体管/斜钱前为延迟时间取上升时间之和td+tr,/后为下降时间TR；低噪声的噪声特征参数用噪声系数NF（DB）或输入换算噪声电压En（VN）暗示；对于对管列有暗示对称性参数的栅源短时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS或栅极电流差⊿JG；跨导值：暗示放大能力的参数，多为最大跨导GM，单元MS（毫西门子）；栅泄露电流值：暗示输入特怕的能数，记为IGSS，单元NA或PA；夹断电压：暗示关断行断特征的参数，记为VP,，单元V。